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　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全(quán)审查(chá)，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全(quán)，是维护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　暧昧期一般多久，暧昧期一般多久可以在一起了alt="半(bàn)导体(tǐ)突发(fā)！中国(guó)出(chū)手：停止采购(gòu)！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212185.png">

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为(暧昧期一般多久，暧昧期一般多久可以在一起了wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约(yuē)，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存(cún)储器(qì)的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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